Маркировка,аналоги SMD элементов

 

 

Кодовое обозначение SMD приборов в копусе(sot - 23)

Скачать бесплатно книги цветовая и кодовая маркировка современных радиоэлементов

полная маркировка (тип прибора)	маркировка на корпусе прибора		структура	Рекомендуемый аналог	краткие параметры
	типовая	альтерн.
BAS16	А 6		Si-Di	BAW62, 1N4148	Min, S, 85V, 0.1A, <6ns
BAS17	А 91		Si-St	ВА 314	Min, Stabi, 0.75...0.83V/10mA
BAS19	А 8		Si-Di	BAV19	Min, S, Uni, 120V, 0.2A, <5ms
BAS20	А 81		Si-Di	BAV20	Min, S, Uni, 200V, 0.2A, <5ms
BAS21	А 82		Si-Di	BAV21	Min, S, Uni, 250V, 0.2A, <5ms
BAS29	L20		Si-Di	BAX12	Min, S, Uni, 300V, 0.25A, <4ms
BAS31	L21		Si-Di	2xBAX12	Min, S, Uni, 300V, 0.25A, <4ms
BAS35	L22		Si-Di	2xBAX12	Min, S, Uni, 300V, 0.25A, <4ms
ВАТ 17	A3		Pin-Di	BA480	VHF/UHF-Band-S, 4V, 30mA, 200MHz
В AT 18	А 2		Pin-Di	BA482	VHF/UHF-Band-S, 35V, 0.1 A, 200MHz
BAV70	А 4		Si-Di	2xBAW62 1N4148	Min, Dual, 70V, 0.1 A, <6ns
BAV99	А 7		Si-Di	2xBAW62 1N4148	Min, Dual, 70V, 0.1 A, <6ns
BAW56	А 1		Si-Di	2xBAW62 1N4148	Min, Dual, S, 70V, 0.1 A, <6ns
BBY31	S1		C-Di	BB405, BB609	UHF-Tuning, 28V, 20mA, Cd=1.8 - 2.8pF
BBY40	S2		C-Di	BB809	UHF-Tuning, 28V, 20mA, Cd=4.3-6pF
ВС 807-16	5 А	5AR	Si-P	BC327-16	Min, NF-Tr,45V, 0.5A, 100MHz, B= 100- 250
ВС 807-25	5 В	5BR	Si-P	BC327-25	Min, NF-Tr,45V, 0.5A, 100MHz, B= 160- 400
ВС 807-40	5 С	5CR	Si-P	BC327-40	Min, NF-Tr,45V, 0.5A, 100MHz, B= 250-600
ВС 808-16	5 Е	5ER	Si-P	BC328-16	Min, NF-Tr,25V, 0.5A, 100MHz, B= 100-250
ВС 808-25	5F	5FR	Si-P	BC328-25	Min, NF-Tr, 25V, 0.5A, 100MHz, B= 160-400

ВС 808-40	5G	5GR	Si-P	BC328-40	Min, NF-Tr,25V, 0.5A, 100MHz, B= 250-600
ВС 817-16	6 А	6AR	Si-N	BC337-16	Min, NF-Tr,5V, 0.5A, 200MHz, B= 100-250
ВС 846 В	1 В	1BR	Si-N	BC546B	Min, Uni, 80V, 0.1A, 300MHz
ВС 847 А	1 Е	1ER	Si-N	BC547A, BC107A	Min, Uni,45V, 0.1A, 300MHz, B= 110-220
ВС 847 В	1F	1FR	Si-N	BC547B, BC107B	Min, Uni,45V, 0.1 A, 300MHz, B= 200-450
ВС 847 С	1G	1GR	Si-N	BC547C, BC107C	Min, Uni,45V, 0.1 A, 300MHz, B= 420-800
ВС 848 А	1 J	1JR	Si-N	BC548A, BC108A	Min, Uni,30V, 0.1A, 300mhz, B= 110-220
ВС 848 В	1 K	1KR	Si-N	BC548B, BC108B	Min, Uni,30V, 0.1 A, 300MHz, B= 200-450
ВС 848 С	1L	1LR	Si-N	BC548C, BC108C	Min, Uni,30V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800
ВС 849 В	2 В	2BR	Si-N	BC549B, BC108B	Min, Uni, ra30V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450
ВС 849 С	2 С	2CR	Si-N	BC549C, BC109C,	Min, Uni, ra,30V, 0.1 A, 300MHz, B= 420-800
ВС 850 В	2F	2FR	Si-N	BC550B, BCY59	Min, Uni, ra,45V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450
ВС 850 С	2G	2GR	Si-N	BC550C, BCY59	Min, Uni, ra,45V, 0.1 A, 300MHz, B= 420-800
ВС 856 А	ЗА	3AR	Si-P	BC556A	Min, Uni,65V, 0.1A, 150MHz, B= 125-250
ВС 856 В	ЗВ	3BR	Si-P	BC556B	Min, Uni,65V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475
ВС 857 А	ЗЕ	3ER	Si-P	BC557A, BC177A	Min, Uni,45V, 0.1 A, 150MHz, B= 125-250
ВС 857 В	3F	3FR	Si-P	BC557B, BC177B	Min, Uni,45V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475

ВС 857 С	3G	3GR	Si-P	BC557C	Min, Uni,45V, 0.1 A, 150MHz, B= 420-800
ВС 858 А	3J	3JR	Si-P	BC558A, BC178A	Min, Uni,30V, 0.1 A, 150mhzB= 125-250
ВС 858 В	ЗК	3KR	Si-P	BC558B, BC178B	Min, Uni,30V, 0.1 A, 150mhzB= 220-475
ВС 858 С	3L	3LR	Si-P	BC558C	Min, Uni,30V, 0.1A, 150mhzB=420-800
ВС 859 А	4A	4AR	Si-P	BC559A, BC179A,BCY78	Min, Uni, ra, 30V, 0.1A, 150MHz, B= 150
ВС 859 В	4B	4BR	Si-P	BC559B, BCY79	Min, Uni, ra,30V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475
ВС 859 С	4 С	4CR	Si-P	BC559C, BCY79	Min, Uni, ra,30V, 0.1 A, 150MHz, B= 420-800
ВС 860 А	4 Е	4ER	Si-P	BC560A, BCY79	Min, Uni, ra,45V, 0.1A, 150MHz, B= 150
ВС 860 В	4F	4FR	Si-P	BC560B, BCY79	Min, Uni, ra,45V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475
ВС 860 С	4G	4GR	Si-P	BC560C, BCY79	Min, Uni, ra,45V, 0.1A, 150MHz, B= 420-800
BCF29	С 7	С 77	Si-P	BC559A, BCY78, ВС 179	Min, NF-V, ra, 32V, 0.1 A, 150MHz,
BCF30	С 8	С 9	Si-P	BC559B, BCY78	Min, NF-V, ra, 32V, 0.1A, 150MHz,
BCF32	D7	D77	Si-N	BC549B, BCY58, ВС 109	Min, NF-V, ra, 32V, 0.1A, 300MHz,
BCF33	D8	D81	Si-N	BC549C, BCY58	Min, NF-V, ra, 32V, 0.1 A, 300MHz,
BCF70	Н 7	Н 71	Si-P	BC560B, BCY79	Min, NF-V, ra,50V, 0.1A, 1500MHz,
BCF81	К 9	К 91	Si-N	BC550C	Min, NF-V, 50V, 0.1A, 300MHz, ra
BCV71	К 7	К 71	Si-N	BC546A	NF/S, 80V.0.1A, 300MHz, B=1 10-220
BCV72	К 8	К 81	Si-N	BC546B	NF/S, 80V.0.1A, 300MHz, B=200-450
BCW29	С 1	С 4	Si-P	BC178A, BC558A	Min, Uni,30V, 0.1A, 150MHz, B= >120

BCW30	С 2	С 5	Si-P	BC178B, BC558B	Min, Uni,30V, 0.1A, 150MHz, B= >215
BCW31	D1	D4	Si-N	BC108A, BC548A	Min, Uni,30V, 0.1A, 300MHz, B= >110
BCW32	D2	D5	Si-N	BC108B, BC548	Min, Uni,30V, 0.1A, 300MHz, B= >200
BCW33	D3	D6	Si-N	BC108C, BC548C	Min, Uni,30V, 0.1A, 300MHz, B= >420
BCW60A	АА		Si-N	BC548A	Min, Uni,32V, 0.1A, 250MHz, B= 110-220
BCW60B	АВ		Si-N	BC548B	Min, Uni,32V, 0.1 A, 250MHz, B= 200-450
BCW60C	АС		Si-N	BC548B	Min, Uni,32V, 0.1 A, 250MHz, B= 420-600
BCW60D	AD		Si-N	BC548C	Min, Uni,32V, 0.1A, 250MHz, B= 620-800
BCW61A	ВА		Si-P	BC558A	Min, Uni,32V, 0.2A, 180mhz, B= 110-220
BCW61B	ВВ		Si-P	BC558B	Min, Uni,32V, 0.2A, 250MHz, B= 200-450
BCW61C	ВС		Si-P	BC558B	Min, Uni,32V, 0.2A, 250MHz, B= 420-620
BCW61D	BD		Si-P	BC558C	Min, Uni,32V, 0.2A, 250MHz, B= 600-800
BCW69	Н 1	Н 4	Si-P	BC557A	Min, Uni, 50V, 0.1A, 150MHz, B>120
BCW70	Н 2	Н 5	Si-P	BC557B	Min, Uni, 50V, 0.1A, 150MHz, B>215
BCW71	К 1	К 4	Si-N	BC547A	Min, NF, 50V, 0.1A, 300MHz, B>110
BCW72	К 2	К 5	Si-N	BC547B	Min, NF, 50V, 0.1A, 300MHz, B>200
BCW81	КЗ	К 31	Si-N	BC547C	Min, NF, 50V, 0.1A, 300MHz, B>420
BCW89	НЗ	Н 31	Si-P	BC556A	Min, Uni, 80V, 0.1A, 150MHz, B>120
ВСХ 17	Т 1	Т 4	Si-P	BC327	Min, NF-Tr, 50V.0.5A, 100MHz
ВСХ 18	Т 2	Т 5	Si-P	BC328	Min, NF-Tr, 30V,0.5A, 100MHz

ВСХ 19	U1	U4	Si-N	BC337	Min, NF-Tr, 50V.0.5A, 200MHz
ВСХ 20	U2	U5	Si-N	BC338	Min, NF-Tr, 30V.0.5A, 200MHz
BCX70G	AG		Si-N	BC107A, BC547A	Min, Uni,45V, 0.2A, 250MHz, B= 110-220
ВСХ 70 Н	AH		Si-N	BC107B, BC547B	Min, Uni,45V, 0.2A, 250MHz, B= 200-450
BCX70J	AJ		Si-N	BC107B, BC547B	Min, Uni,45V, 0.2A, 250MHz, B= 420-620
ВСХ 70 К	AK		Si-N	BC107C, BC547C	Min, Uni,45V, 0.2A, 250mhz, B= 600-800
BCX71G	BG		Si-P	BC177A, BC557A	Min, Uni,45V, 0.2A.180MHz, B= 125-250
ВСХ 71 Н	BH		Si-P	BC177B, BC557B	Min, Uni,45V, 0.2A,180MHz, B= 220-475
BCX71J	BJ		Si-P	BC177B, BC557B	Min, Uni,45V, 0.2A,180MHz, B= 420-650
ВСХ 71 К	BK		Si-P	BC557C	Min, Uni,45V, 0.2A.180MHz, B= 620-800
BF510	S6		N-FET	BF410A	Min, VHF-ra,20V, ldss= 0.7-3mA, Vp= 0.8V
BF511	S7		N-FET	BF410B	Min, VHF-ra,20V, ldss= 2.5-7mA, Vp= 1.5V
BF512	S8		N-FET	BF410C	Min, VHF-ra,20V, ldss= 6-12mA, Vp= 2.2V
BF513	S9		N-FET	BF410D	Min, VHF-ra,20V, ldss= 10-18mA, Vp= 3V
BF536	G3		Si-P	BF936	Min, VHF-M/O, 30V, 25mA, 350MHz
BF550	G2	G5	Si-P	BF450	Min, HF/ZF, 40V, 25mA, 325MHz
BF569	G6		Si-P	BF970	Min, UHF-M/O, 40V, 30mA, 900MHz
BF579	G7		Si-P	BF979	Min, VHF/UHF, 20V, 25mA, 1.35GHz
BF660	G8	G81	Si-P	BF606A	Min, VHF-O, 40V, 25mA,650MHz
BF767	G9		Si-P	BF967	Min, VHF/YHF-ra, 30V,20mA,900MHz

BF820	1V		Si-N	BF420	Min, Vid 50mA, >60MHz
BF821	1W		Si-P	BF421	Min, Vid, 300V, 25-50mA, >60MHz
BF822	1X		Si-N	BF422	Min, Vid, 250V, 25-50mA, >60MHz
BF823	1Y		Si-P	BF423	Min, Vid, 250V, 25-50mA, >60MHz
BF824	F8		Si-P	BF324	Min, FM-V, 30V, 25mA, 450MHz
BF840	F3		Si-N	BF240	Min, Uni, 15V, 0.1A, 0.3W,>90MHz
BF841	F31		SI-N	BF241	Min, AM/FM-ZF, 40V,25mA, 400MHz
BFR30	M1		N-FET	BFW11, BF245	Min, Uni,25V, ldss>4mA, YP<5V
BFR31	M2		N-FET	BFW12, BF245	Min, Uni,25V, ldss>1mA, YP<2.5V
BFR53	N1	N4	Si-N	BFW30, BFW93	Min, YNF-A, 18V, 50mA, 2GHz
BFR92	P1	P4	Si-N	BFR90	Min, YHF-A, 20V, 25mA, 5GHz
BFR92A	P2	P5	Si-N	BFR90	Min, YHF-A, 20V, 25mA, 5GHz
BFR93	R1	R4	Si-N	BFR91	Min, YHF-A, 15V, 35mA, 5- 6GHz
BFR93A	R2	R5	Si-N	BFR91	Min, YHF-A, 15V, 35mA, 5- 6GHz
BFS17, (BFS17A)	E1 (E2)	E4 (E5)	Si-N	BFY90, BFW92(A)	Min, VHF/YHF, 25V, 25mA, 1-2GHz
BFS18	F1	F4	Si-N	BF185, BF495	Min, HF,30V, 30mA, 200MHz
BFS19	F2	F5	Si-N	BF184, BF494	Min, HF,30V, 30mA, 260MHz
BFS20	G1	G4	Si-N	BF199	Min, HF, 30V, 30mA, 450MHz
BFT25	V1	V4	Si-N	BFT24	Min, UHF-A, 8v, 2.5mA, 2.3GHz
BFT46	M3		NFT	BFW13, BF245	Min, NF/HF,25V, ldss>0.2mA, Up<1.2V
BFT92	W1	W4	Si-P	BFQ51, BFQ52	Min, UHF-A, 20V, 25mA, 5GHz
BFT93	X1	X4	Si-P	BFQ23, BFQ24	Min, UHF-A, 15V, 35mA, 5GHz
BRY61	A5		BYT	BRY56	70V, lp=5 « A, lv= 30 « A
BRY62	A51		Tetrode	BRY56, BRY39	Tetrode, Min,70V, 0.1 75A, T=10 « s
BSR12	B5	B8	Si-P	2N2894A	Min, S, 15V,0.1A,>1.5GHz, <20/30ns

BSR13	U7	U71	Si-N	2N2222, PH2222	Min, HF/S, 60V, 0.8A, <35/285ns
BSR14	U8	U81	Si-N	2N2222A, PH2222A	Min, HF/S, 75V, 0.8A, <35/285ns
BSR15	Т 7	Т 71	Si-P	2N2907, PH2907	Min, HF/S, 60/40V, 0.6A, <35/110ns
BSR16	Т 8	Т 81	Si-P	2N2907A PH2907A	Min, HF/S,60/60V, 0.6A, <35/110ns
BSR17	U9	U91	Si-N	2N3903	Min, HF/S,60V, 0.2A, <70/250ns, B=50-150
BSR17A	U92	U93	Si-N	2N3904	Min, HF/S,60V, 0.2A, <70/225ns, B=100-300
BSR18	Т 9	Т 91	Si-P	2N3905	Min, HF/S, 40V, 0.2A, 200MHz
BSR18A	Т 92	Т 93	Si-P	2N3906	Min, HF/S, 40V, 0.2A, 250MHz
BSR19	U35		Si-N	2N5550	Min, HF/S, 160V, 0.6A, >100MHz
BSR19A	U36		Si-N	2N5551	Min, HF/S, 180V, 0.6A, >100MHz
BSR20	Т 35		Si-P	2N5400	Min, HF/S, 130V, 0.6A, >100MHz
BSR20A	Т 36		Si-P	2N5401	Min, HF/S, 160V, 0.6A, >100MHz
BSR56	М 4		N-FET	2N4856	Min, S, Chopper,40V, Idss >40mA, Up < 10V
BSR57	М 5		N-FET	2N4857	Min, S, Chopper,40V, Idss >20mA, Up <6V
BSR58	Мб		N-FET	2N4858	Min, S, Chopper,40V, Idss >8mA, Up <4V
BSS63	ТЗ	Т 6	Si-P	BSS68	Min.Uni, 110V, 0.1A, 85MHz
BSS64	U6	U6	Si-N	BSS38	Min, Uni, 120V, 0.1A, 100MHz
BSV52	В 2	ВЗ	Si-N	PH2369, BSX20	Min, S,20V, 0.1 A, < 12/1 8ns
BZX84-...			Si-St	BZX79	Min, Mm/Vrg Uz= 2.4-75V, P=0. 3W
PBMF4391	М 62		N-FET		Min, 40V, ldss= 50mA, Up= 10V
PBMF4392	М 63		N-FET		Min, 40V, ldss= 25mA, Up= 5V
PBMF4393	М 64		N-FET		Min, 40V, ldss= 5mA, Up= 3V

Кодовое обозначение SMD приборов в копусе(sot - 89)

тип прибора	кодовая марк.	структура	рекомендуемый аналог	краткие параметры
BC868	CAC	Si-P	BD329	Min, NF-Tr/E, 25V, 1A, 60MHz
ВС 869	СЕС	Si-P	BC369, BD330	Min, NF-Tr/E, 25V, 1A, 60MHz
BCV61	D91	Si-N		Min, temp-komp., 50V, 0.1A, 300MHz
BCV62	С 91	Si-P		Min, temp-komp., 50V, 0.1A, 150MHz
ВСХ 51	АА	Si-P	BC636, BD136	Min, NF-Tr, 45V, 1A, 50MHz
ВСХ 52	АЕ	Si-P	BC638, BD138	Min, NF-Tr, 60V, 1A, 50MHz
ВСХ 53	АН	Si-P	BC640, BD140	Min, NF-Tr, 100V, 1A, 50MHz
ВСХ 54	ВА	Si-N	BC635, BD135	Min, NF-Tr, 45V, 1A, 50MHz
ВСХ 55	BE	Si-N	BC637, BD137	Min, NF-Tr, 60V, 1A, 50MHz
ВСХ 56	ВН	Si-N	BC639, BD139	Min, NF-Tr, 100V, 1A, 50MHz
ВСХ 68	СА	Si-N	BC368, BD329	Min, Uni,25V, 1A, 65MHz
ВСХ 69	СЕ	Si-P	BC369, BD300	Min, Uni,25V, 1A, 65MHz
BF620	DC	Si-N	BF420, BF471, BF871	Min, Vid,300V, 0.02A, >60MHz
BF621	DF	Si-P	BF421, BF472, BF872	Min, Vid,300V, 0.02A, >60MHz

BF622	DA	Si-N	BF422, BF469, BF869	Min, Vid,250V, 0.02A, >60MHz
BF623	DB	Si-P	BF423, BF470, BF870	Min, Vid,250V, 0.02A, >60MHz
BFQ17	FA	Si-N	BFW16A	Min, VHF/UHF-A, 40V, 150mA, 1.2GHz
BFQ18A	FF	Si-N	BFQ34, BFQ64	Min, UHF-A,25V, 150mA, 3.6GHz
BFQ19	FB	Si-N	BFR96, 2SC3268	Min, UHF-A, 20V, 75mA, 5GHz
BFQ67	V2	Si-N	BFQ65	Min, UHF-A, 20V, 50mA, 7.5GHz, ra
BSR30	BR1	Si-P	2N4030	Min, NF/S, 70V, 1A, <500/650ns, B>40
BSR31	BR2	Si-P	2N4031	Min, NF/S, 70V, 1A,<500/650ns, B>100
BSR32	BR3	Si-P	2N4032	Min, NF/S, 90V, 1A, <500/650ns, B>40
BSR33	BR4	Si-P	2N4033	Min, NF/S, 90V, 1A,<500/650ns, B>100
BSR40	AR1	Si-N	BSX46-6	Min, NF/S, 70V, 1A,<250/1000ns, B>40
BSR41	AR2	Si-N	BSX46-16	Min, NF/S, 70V,1A,<250/1000ns,B>100
BSR42	AR3	Si-N	2N3020	Min, NF/S, 90V,1A,<250/1000ns, B>40
BSR43	AR4	Si-N	2N3019	Min, NF/S,90V, 1 A,<250/1000ns,B> 100
BST15	BT1	Si-P	2N5415	Min, NF/S/Vid, 200V, 1A, >15MHz
BST16	BT2	Si-P	2N5416	Min, NF/S/Vid, 350V, 1A, >15MHz
BST39	AT1	Si-N		Min, NF/S/Vid, 450V, 1A, >15MHz
BST40	AT2	Si-N		Min, NF/S/Vid, 300V, 1A, >15MHz
BST50	AS1	Si-N-Darl	BSR50, BSS50, BDX42	Min,60V, 1A, 350MHz, B>2000
BST51	AS2	Si-N-Darl	BSR51, BSS51, BDX43	Min, 80V, 1A, 350MHz, B>2000
BST52	AS3	Si-N-Darl	BSR52, BSS52, BDX44	Min,100V, 1A, 350MHz, B>2000
BST60	BS1	Si-P-Darl	BSR60, BSS60, BDX45	Min,60V, 1A, 350MHz, B>2000
BST61	BS2	Si-P-Dari	BSR61, BSS61, BDX46	Min,80V, 1A, 350MHz, B>2000

ПРИНЯТЫЕ СОКРАЩЕНИЯ В ТАБЛИЦЕ

Графа 3:

C-Di (Capacitance diode [varactor, varicap]) - емкостной диод ( варикап );
MQS-N(P)-FET-d(e) (Metal oxide FET, enhancement type) - МДП - транзистор с каналом N (P);
N-FET (N-channel field-effect transistors) - полевой транзистор с N- каналом ;
PIN-Di (PIN -diode) - диод ;
P-FET (P- channel field-effect transistors) - полевой транзистор с Р - каналом ;
S (Sensor devices) - сенсорная схема ;
Si-Di (Silicon diode) - кремниевый диод
Si-N (Silicon NPN transistor) - кремниевый NPN ( обратный ) транзистор ;
Si-N-Darl (Silicon NPN Darlington transistor) - кремниевый NPN ( обратный ) транзистор по схеме Дарлингтона ;
Si-P (Silicon PNP transistor) - кремниевый PNP ( прямой ) транзистор
Si-P-Darl (Silicon PNP Darlington transistor) - кремниевый PNP ( прямой ) транзистор по схеме Дарлингтона ;
Si-St (Silicon-stabi-diode [operation in forward direction]) - стабилизирующий диод ( стабилитрон );
T ( Tuner Diodes ) - переключающий диод ;
Tetrode ( P - + N - gate thyristor ) - транзистор с четырехслойной структурой
Vrf ( Voltage reference diodes ) - высокостабильный опорный диод
Vrg ( Voltage requlator diodes ) - регулируемый опорный диод ;

Графа 4:

AM ( RF application ) - амплитудная модуляция
Band - S ( RF band switching ) - ключевой элемент ( электронный переключатель диапазона );Chopper (Chopper) - прерыватель ;
Dual (Dual transistors for differential amplifiers or dual diode) - сдвоенный транзистор ( диод )
FED ( Field effect diode ) - диод , управляющий напряжением
FM ( RF application ) - частотная модуляция
HF ( RF application [ general ]) - высокочастотный диапазон
LED (Light-emitting diode) - светодиод
M (Mixer stages) - смесительный
Min (Miniaturized) - миниатюрный
NF (AF applications) - низкочастотный ( звуковой ) диапазон
О (Oscillator stages) - генераторная схема
га (Low noise) - малошумящий
S (Switching stages) - ключевой
SS (Fast switching stages) - быстродействующий ключ
sym (Symmetrical types) - симметричный
Tr (Driver stages) - мощной устройство ( мощный управляющий ключ )
tuning (RF tuning diode) - переключающий диод для схем переключения диапазона
Tunnel-Di (Tunnel diode) - тунельный диод
UHF (RF applications [>250MHz]) - ультрокороткий ( СВЧ ) диапазон
Uni (General purpose tyres) - универсальный ( массового применения )
V (Pre/input stages) - предварительный ( для входных цепей )
VHF (RF applications [approx. 100...250 MHz]) - высокочастотный ( УКВ ) диапазон
Vid (Video output stages) - видеочастотный ( для цепей видеочастоты )

 

Справочники и учебный материал (бесплатно)

• Словарь терминов радиоэлектроники
• Справочник зарубежных микросхем
• Большой справочник по микросхемам УНЧ.
• Методы проверки электронных элементов
• Кодовая маркировка и аналоги SMD
• Отечественные микросхемы и их зарубежные аналоги
• Распиновка разъемов автомагнитол
• Распиновка разъемов компьютера
• Метод очистки лазера от пыли
• Ремонт CD проигрывателей
• Распиновка разъемов чейнжеров
• Цветовая маркировка элементов
• Что такое JTAG?
• Восстановление ресивера через JTAG
• Вхождение в сервисное меню зарубежных телевизоров
• Вхождение в сервисное меню отечественных телевизоров
• Кодовая маркировка керамичных конденсаторов
• Цветовая маркировка стабилитронов и стабисторов
• Методы ввода защитных кодов в авто-магнитолы
• Pаспиновка SCART
• Маркировка SMD резисторов
• Методика проверки трансформаторов
• Каталог пультов
• Расчет трансформатора
• Расчет выпрямителя
• Расчет стабилизатора

Радиолюбительские схемы (бесплатно)

• Бездроссельное питание люминесцентных ламп
• Питание лампы дневного света постоянным током
• Антенны усиления сигнала для мобильного телефона
• Пассивный усилитель для мобильного телефона
• ТDA 1558Q (изготовитель - Philips).
• Аналог мощного стабилитрона.
• Применение микросхемы К548УН1
• Схема программатора
• Двуполярный источник питания из однополярного
• Двуполярный источник питания регулируемый
• Телемеханически управляемые конструкции
• Радиоуправляемые модели
• Выключатель,управляемый звуком
• Усилители звуковой частоты на лампах
• Сторожевое устройство с контактными датчиками
• Сторожевое устройство с проводными датчиками
• Прибор обнаружения короткозамкнутых витков
• 105 Вт простой усилитель
• Автомобильный радиосторож
• Активный ответвитель тв сигнала
• Антишпион
• Догчейзер - "страшилка" для собак
• Импульсный преобразователь с 12В на 220 В 50 Гц
• Искатель скрытой проводки
• Кодовый замок без кнопок управления
• Направленный микрофон
• Охранная система на лазерных лучах
• Передатчик видеосигнала
• Передатчик охранной сигнализации
• Преобразователь напряжения для ЛДС
• Простой радиомикрофон на 300м
• Радиомикрофон (на 1 км )
• Сигнализатор уровня воды в радиаторе
• Телепередатчик
• Тиристорный автомат лестничного освещения
• Три схемы простейших жучков на 66-74 МГц
• УМЗЧ повышенной мощности (для дискотеки)
• Формирователь ТВ сигнала
• Маячок
• Метроном
• Маломощный передатчик радиоволн
• Пробник для проверки мощных транзисторов
• Простой пробник транзисторов
• Пробник универсальный
• Радиомикрофон
• Радиостанция типа Д
• Сигнализатор уровня воды в металической емкости
• Сигнализатор уровня воды в пластиковой емкости
• Электронная сирена
• Имитатор соловьиных трелей
• Data кабель своими руками 1
• Data кабель своими руками 2
• Детектор звонка мобильного телефона
• Универсальный сервисный кабель
• Коммутатор нагрузки
• Датчик дыма для сигнализации о пожаре
• Электрический ежик
• Электрошоковое средство защиты
• Электроудочка
• Химическое травление плат
• «Люстра Чижевского» своими руками
• Металлоискатели теория, схемы.
• Фотореле на симисторе
• Антенный усилитель ДМВ
• Реле времени
• Дистанционный выключатель электроприборов