CD и радиодетали почтойCD и радиодетали почтой CD и радиодетали почтой
Главная страница сайтаКонтакты и правила заказа Цены на радиодетали, обзор прайса.
Акции и скидки для друзей

Для содержимого этой страницы требуется более новая версия Adobe Flash Player.

Получить проигрыватель Adobe Flash Player


Маркировка,аналоги SMD элементов

 

 

Кодовое обозначение SMD приборов в копусе(sot - 23)

полная маркировка
(тип прибора)

маркировка на
корпусе прибора

структура

Рекомендуемый
аналог

 

краткие параметры

типовая
альтерн.

BAS16

А 6

Si-Di

BAW62, 1N4148

Min, S, 85V, 0.1A, <6ns

BAS17

А 91

Si-St

ВА 314

Min, Stabi, 0.75...0.83V/10mA

BAS19

А 8

Si-Di

BAV19

Min, S, Uni, 120V, 0.2A, <5ms

BAS20

А 81

Si-Di

BAV20

Min, S, Uni, 200V, 0.2A, <5ms

BAS21

А 82

Si-Di

BAV21

Min, S, Uni, 250V, 0.2A, <5ms

BAS29

L20

Si-Di

BAX12

Min, S, Uni, 300V, 0.25A, <4ms

BAS31

L21

Si-Di

2xBAX12

Min, S, Uni, 300V, 0.25A, <4ms

BAS35

L22

Si-Di

2xBAX12

Min, S, Uni, 300V, 0.25A, <4ms

ВАТ 17

A3

Pin-Di

BA480

VHF/UHF-Band-S, 4V, 30mA, 200MHz

В AT 18

А 2

Pin-Di

BA482

VHF/UHF-Band-S, 35V, 0.1 A, 200MHz

BAV70

А 4

Si-Di

2xBAW62 1N4148

Min, Dual, 70V, 0.1 A, <6ns

BAV99

А 7

Si-Di

2xBAW62 1N4148

Min, Dual, 70V, 0.1 A, <6ns

BAW56

А 1

Si-Di

2xBAW62 1N4148

Min, Dual, S, 70V, 0.1 A, <6ns

BBY31

S1

C-Di

BB405, BB609

UHF-Tuning, 28V, 20mA, Cd=1.8 - 2.8pF

BBY40

S2

C-Di

BB809

UHF-Tuning, 28V, 20mA, Cd=4.3-6pF

ВС 807-16

5 А

5AR

Si-P

BC327-16

Min, NF-Tr,45V, 0.5A, 100MHz, B= 100- 250

ВС 807-25

5 В

5BR

Si-P

BC327-25

Min, NF-Tr,45V, 0.5A, 100MHz, B= 160- 400

ВС 807-40

5 С

5CR

Si-P

BC327-40

Min, NF-Tr,45V, 0.5A, 100MHz, B= 250-600

ВС 808-16

5 Е

5ER

Si-P

BC328-16

Min, NF-Tr,25V, 0.5A, 100MHz, B= 100-250

ВС 808-25

5F

5FR

Si-P

BC328-25

Min, NF-Tr, 25V, 0.5A, 100MHz, B= 160-400

ВС 808-40

5G

5GR

Si-P

BC328-40

Min, NF-Tr,25V, 0.5A, 100MHz, B= 250-600

ВС 817-16

6 А

6AR

Si-N

BC337-16

Min, NF-Tr,5V, 0.5A, 200MHz, B= 100-250

ВС 846 В

1 В

1BR

Si-N

BC546B

Min, Uni, 80V, 0.1A, 300MHz

ВС 847 А

1 Е

1ER

Si-N

BC547A, BC107A

Min, Uni,45V, 0.1A, 300MHz, B= 110-220

ВС 847 В

1F

1FR

Si-N

BC547B, BC107B

Min, Uni,45V, 0.1 A, 300MHz, B= 200-450

ВС 847 С

1G

1GR

Si-N

BC547C, BC107C

Min, Uni,45V, 0.1 A, 300MHz, B= 420-800

ВС 848 А

1 J

1JR

Si-N

BC548A, BC108A

Min, Uni,30V, 0.1A, 300mhz, B= 110-220

ВС 848 В

1 K

1KR

Si-N

BC548B, BC108B

Min, Uni,30V, 0.1 A, 300MHz, B= 200-450

ВС 848 С

1L

1LR

Si-N

BC548C, BC108C

Min, Uni,30V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800

ВС 849 В

2 В

2BR

Si-N

BC549B, BC108B

Min, Uni, ra30V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450

ВС 849 С

2 С

2CR

Si-N

BC549C, BC109C,

Min, Uni, ra,30V, 0.1 A, 300MHz, B= 420-800

ВС 850 В

2F

2FR

Si-N

BC550B, BCY59

Min, Uni, ra,45V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450

ВС 850 С

2G

2GR

Si-N

BC550C, BCY59

Min, Uni, ra,45V, 0.1 A, 300MHz, B= 420-800

ВС 856 А

ЗА

3AR

Si-P

BC556A

Min, Uni,65V, 0.1A, 150MHz, B= 125-250

ВС 856 В

ЗВ

3BR

Si-P

BC556B

Min, Uni,65V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475

ВС 857 А

ЗЕ

3ER

Si-P

BC557A, BC177A

Min, Uni,45V, 0.1 A, 150MHz, B= 125-250

ВС 857 В

3F

3FR

Si-P

BC557B, BC177B

Min, Uni,45V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475

ВС 857 С

3G

3GR

Si-P

BC557C

Min, Uni,45V, 0.1 A, 150MHz, B= 420-800

ВС 858 А

3J

3JR

Si-P

BC558A, BC178A

Min, Uni,30V, 0.1 A, 150mhzB= 125-250

ВС 858 В

ЗК

3KR

Si-P

BC558B, BC178B

Min, Uni,30V, 0.1 A, 150mhzB= 220-475

ВС 858 С

3L

3LR

Si-P

BC558C

Min, Uni,30V, 0.1A, 150mhzB=420-800

ВС 859 А

4A

4AR

Si-P

BC559A,
BC179A,BCY78

Min, Uni, ra, 30V, 0.1A, 150MHz, B= 150

ВС 859 В

4B

4BR

Si-P

BC559B, BCY79

Min, Uni, ra,30V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475

ВС 859 С

4 С

4CR

Si-P

BC559C, BCY79

Min, Uni, ra,30V, 0.1 A, 150MHz, B= 420-800

ВС 860 А

4 Е

4ER

Si-P

BC560A, BCY79

Min, Uni, ra,45V, 0.1A, 150MHz, B= 150

ВС 860 В

4F

4FR

Si-P

BC560B, BCY79

Min, Uni, ra,45V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475

ВС 860 С

4G

4GR

Si-P

BC560C, BCY79

Min, Uni, ra,45V, 0.1A, 150MHz, B= 420-800

BCF29

С 7

С 77

Si-P

BC559A, BCY78,
ВС 179

Min, NF-V, ra, 32V, 0.1 A, 150MHz,

BCF30

С 8

С 9

Si-P

BC559B, BCY78

Min, NF-V, ra, 32V, 0.1A, 150MHz,

BCF32

D7

D77

Si-N

BC549B, BCY58,
ВС 109

Min, NF-V, ra, 32V, 0.1A, 300MHz,

BCF33

D8

D81

Si-N

BC549C, BCY58

Min, NF-V, ra, 32V, 0.1 A, 300MHz,

BCF70

Н 7

Н 71

Si-P

BC560B, BCY79

Min, NF-V, ra,50V, 0.1A, 1500MHz,

BCF81

К 9

К 91

Si-N

BC550C

Min, NF-V, 50V, 0.1A, 300MHz, ra

BCV71

К 7

К 71

Si-N

BC546A

NF/S, 80V.0.1A, 300MHz, B=1 10-220

BCV72

К 8

К 81

Si-N

BC546B

NF/S, 80V.0.1A, 300MHz, B=200-450

BCW29

С 1

С 4

Si-P

BC178A, BC558A

Min, Uni,30V, 0.1A, 150MHz, B= >120

BCW30

С 2

С 5

Si-P

BC178B, BC558B

Min, Uni,30V, 0.1A, 150MHz, B= >215

BCW31

D1

D4

Si-N

BC108A, BC548A

Min, Uni,30V, 0.1A, 300MHz, B= >110

BCW32

D2

D5

Si-N

BC108B, BC548

Min, Uni,30V, 0.1A, 300MHz, B= >200

BCW33

D3

D6

Si-N

BC108C, BC548C

Min, Uni,30V, 0.1A, 300MHz, B= >420

BCW60A

АА

Si-N

BC548A

Min, Uni,32V, 0.1A, 250MHz, B= 110-220

BCW60B

АВ

Si-N

BC548B

Min, Uni,32V, 0.1 A, 250MHz, B= 200-450

BCW60C

АС

Si-N

BC548B

Min, Uni,32V, 0.1 A, 250MHz, B= 420-600

BCW60D

AD

Si-N

BC548C

Min, Uni,32V, 0.1A, 250MHz, B= 620-800

BCW61A

ВА

Si-P

BC558A

Min, Uni,32V, 0.2A, 180mhz, B= 110-220

BCW61B

ВВ

Si-P

BC558B

Min, Uni,32V, 0.2A, 250MHz, B= 200-450

BCW61C

ВС

Si-P

BC558B

Min, Uni,32V, 0.2A, 250MHz, B= 420-620

BCW61D

BD

Si-P

BC558C

Min, Uni,32V, 0.2A, 250MHz, B= 600-800

BCW69

Н 1

Н 4

Si-P

BC557A

Min, Uni, 50V, 0.1A, 150MHz, B>120

BCW70

Н 2

Н 5

Si-P

BC557B

Min, Uni, 50V, 0.1A, 150MHz, B>215

BCW71

К 1

К 4

Si-N

BC547A

Min, NF, 50V, 0.1A, 300MHz, B>110

BCW72

К 2

К 5

Si-N

BC547B

Min, NF, 50V, 0.1A, 300MHz, B>200

BCW81

КЗ

К 31

Si-N

BC547C

Min, NF, 50V, 0.1A, 300MHz, B>420

BCW89

НЗ

Н 31

Si-P

BC556A

Min, Uni, 80V, 0.1A, 150MHz, B>120

ВСХ 17

Т 1

Т 4

Si-P

BC327

Min, NF-Tr, 50V.0.5A, 100MHz

ВСХ 18

Т 2

Т 5

Si-P

BC328

Min, NF-Tr, 30V,0.5A, 100MHz

ВСХ 19

U1

U4

Si-N

BC337

Min, NF-Tr, 50V.0.5A, 200MHz

ВСХ 20

U2

U5

Si-N

BC338

Min, NF-Tr, 30V.0.5A, 200MHz

BCX70G

AG

Si-N

BC107A, BC547A

Min, Uni,45V, 0.2A, 250MHz, B= 110-220

ВСХ 70 Н

AH

Si-N

BC107B, BC547B

Min, Uni,45V, 0.2A, 250MHz, B= 200-450

BCX70J

AJ

Si-N

BC107B, BC547B

Min, Uni,45V, 0.2A, 250MHz, B= 420-620

ВСХ 70 К

AK

Si-N

BC107C, BC547C

Min, Uni,45V, 0.2A, 250mhz, B= 600-800

BCX71G

BG

Si-P

BC177A, BC557A

Min, Uni,45V, 0.2A.180MHz, B= 125-250

ВСХ 71 Н

BH

Si-P

BC177B, BC557B

Min, Uni,45V, 0.2A,180MHz, B= 220-475

BCX71J

BJ

Si-P

BC177B, BC557B

Min, Uni,45V, 0.2A,180MHz, B= 420-650

ВСХ 71 К

BK

Si-P

BC557C

Min, Uni,45V, 0.2A.180MHz, B= 620-800

BF510

S6

N-FET

BF410A

Min, VHF-ra,20V, ldss= 0.7-3mA, Vp= 0.8V

BF511

S7

N-FET

BF410B

Min, VHF-ra,20V, ldss= 2.5-7mA, Vp= 1.5V

BF512

S8

N-FET

BF410C

Min, VHF-ra,20V, ldss= 6-12mA, Vp= 2.2V

BF513

S9

N-FET

BF410D

Min, VHF-ra,20V, ldss= 10-18mA, Vp= 3V

BF536

G3

Si-P

BF936

Min, VHF-M/O, 30V, 25mA, 350MHz

BF550

G2

G5

Si-P

BF450

Min, HF/ZF, 40V, 25mA, 325MHz

BF569

G6

Si-P

BF970

Min, UHF-M/O, 40V, 30mA, 900MHz

BF579

G7

Si-P

BF979

Min, VHF/UHF, 20V, 25mA, 1.35GHz

BF660

G8

G81

Si-P

BF606A

Min, VHF-O, 40V, 25mA,650MHz

BF767

G9

Si-P

BF967

Min, VHF/YHF-ra, 30V,20mA,900MHz

BF820

1V

Si-N

BF420

Min, Vid 50mA, >60MHz

BF821

1W

Si-P

BF421

Min, Vid, 300V, 25-50mA, >60MHz

BF822

1X

Si-N

BF422

Min, Vid, 250V, 25-50mA, >60MHz

BF823

1Y

Si-P

BF423

Min, Vid, 250V, 25-50mA, >60MHz

BF824

F8

Si-P

BF324

Min, FM-V, 30V, 25mA, 450MHz

BF840

F3

Si-N

BF240

Min, Uni, 15V, 0.1A, 0.3W,>90MHz

BF841

F31

SI-N

BF241

Min, AM/FM-ZF, 40V,25mA, 400MHz

BFR30

M1

N-FET

BFW11, BF245

Min, Uni,25V, ldss>4mA, YP<5V

BFR31

M2

N-FET

BFW12, BF245

Min, Uni,25V, ldss>1mA, YP<2.5V

BFR53

N1

N4

Si-N

BFW30, BFW93

Min, YNF-A, 18V, 50mA, 2GHz

BFR92

P1

P4

Si-N

BFR90

Min, YHF-A, 20V, 25mA, 5GHz

BFR92A

P2

P5

Si-N

BFR90

Min, YHF-A, 20V, 25mA, 5GHz

BFR93

R1

R4

Si-N

BFR91

Min, YHF-A, 15V, 35mA, 5- 6GHz

BFR93A

R2

R5

Si-N

BFR91

Min, YHF-A, 15V, 35mA, 5- 6GHz

BFS17, (BFS17A)

E1 (E2)

E4 (E5)

Si-N

BFY90, BFW92(A)

Min, VHF/YHF, 25V, 25mA, 1-2GHz

BFS18

F1

F4

Si-N

BF185, BF495

Min, HF,30V, 30mA, 200MHz

BFS19

F2

F5

Si-N

BF184, BF494

Min, HF,30V, 30mA, 260MHz

BFS20

G1

G4

Si-N

BF199

Min, HF, 30V, 30mA, 450MHz

BFT25

V1

V4

Si-N

BFT24

Min, UHF-A, 8v, 2.5mA, 2.3GHz

BFT46

M3

NFT

BFW13, BF245

Min, NF/HF,25V, ldss>0.2mA, Up<1.2V

BFT92

W1

W4

Si-P

BFQ51, BFQ52

Min, UHF-A, 20V, 25mA, 5GHz

BFT93

X1

X4

Si-P

BFQ23, BFQ24

Min, UHF-A, 15V, 35mA, 5GHz

BRY61

A5

BYT

BRY56

70V, lp=5 « A, lv= 30 « A

BRY62

A51

Tetrode

BRY56, BRY39

Tetrode, Min,70V, 0.1 75A, T=10 « s

BSR12

B5

B8

Si-P

2N2894A

Min, S, 15V,0.1A,>1.5GHz, <20/30ns

BSR13

U7

U71

Si-N

2N2222, PH2222

Min, HF/S, 60V, 0.8A, <35/285ns

BSR14

U8

U81

Si-N

2N2222A, PH2222A

Min, HF/S, 75V, 0.8A, <35/285ns

BSR15

Т 7

Т 71

Si-P

2N2907, PH2907

Min, HF/S, 60/40V, 0.6A, <35/110ns

BSR16

Т 8

Т 81

Si-P

2N2907A PH2907A

Min, HF/S,60/60V, 0.6A, <35/110ns

BSR17

U9

U91

Si-N

2N3903

Min, HF/S,60V, 0.2A, <70/250ns, B=50-150

BSR17A

U92

U93

Si-N

2N3904

Min, HF/S,60V, 0.2A, <70/225ns, B=100-300

BSR18

Т 9

Т 91

Si-P

2N3905

Min, HF/S, 40V, 0.2A, 200MHz

BSR18A

Т 92

Т 93

Si-P

2N3906

Min, HF/S, 40V, 0.2A, 250MHz

BSR19

U35

Si-N

2N5550

Min, HF/S, 160V, 0.6A, >100MHz

BSR19A

U36

Si-N

2N5551

Min, HF/S, 180V, 0.6A, >100MHz

BSR20

Т 35

Si-P

2N5400

Min, HF/S, 130V, 0.6A, >100MHz

BSR20A

Т 36

Si-P

2N5401

Min, HF/S, 160V, 0.6A, >100MHz

BSR56

М 4

N-FET

2N4856

Min, S, Chopper,40V, Idss >40mA, Up < 10V

BSR57

М 5

N-FET

2N4857

Min, S, Chopper,40V, Idss >20mA, Up <6V

BSR58

Мб

N-FET

2N4858

Min, S, Chopper,40V, Idss >8mA, Up <4V

BSS63

ТЗ

Т 6

Si-P

BSS68

Min.Uni, 110V, 0.1A, 85MHz

BSS64

U6

U6

Si-N

BSS38

Min, Uni, 120V, 0.1A, 100MHz

BSV52

В 2

ВЗ

Si-N

PH2369, BSX20

Min, S,20V, 0.1 A, < 12/1 8ns

BZX84-...

 

Si-St

BZX79

Min, Mm/Vrg Uz= 2.4-75V, P=0. 3W

PBMF4391

М 62

N-FET

 

Min, 40V, ldss= 50mA, Up= 10V

PBMF4392

М 63

N-FET

 

Min, 40V, ldss= 25mA, Up= 5V

PBMF4393

М 64

N-FET

 

Min, 40V, ldss= 5mA, Up= 3V

Кодовое обозначение SMD приборов в копусе(sot - 89)

тип прибора
кодовая марк.
структура
рекомендуемый аналог
краткие параметры

BC868

CAC

Si-P

BD329

Min, NF-Tr/E, 25V, 1A, 60MHz

ВС 869

СЕС

Si-P

BC369, BD330

Min, NF-Tr/E, 25V, 1A, 60MHz

BCV61

D91

Si-N

Min, temp-komp., 50V, 0.1A, 300MHz

BCV62

С 91

Si-P

Min, temp-komp., 50V, 0.1A, 150MHz

ВСХ 51

АА

Si-P

BC636, BD136

Min, NF-Tr, 45V, 1A, 50MHz

ВСХ 52

АЕ

Si-P

BC638, BD138

Min, NF-Tr, 60V, 1A, 50MHz

ВСХ 53

АН

Si-P

BC640, BD140

Min, NF-Tr, 100V, 1A, 50MHz

ВСХ 54

ВА

Si-N

BC635, BD135

Min, NF-Tr, 45V, 1A, 50MHz

ВСХ 55

BE

Si-N

BC637, BD137

Min, NF-Tr, 60V, 1A, 50MHz

ВСХ 56

ВН

Si-N

BC639, BD139

Min, NF-Tr, 100V, 1A, 50MHz

ВСХ 68

СА

Si-N

BC368, BD329

Min, Uni,25V, 1A, 65MHz

ВСХ 69

СЕ

Si-P

BC369, BD300

Min, Uni,25V, 1A, 65MHz

BF620

DC

Si-N

BF420, BF471, BF871

Min, Vid,300V, 0.02A, >60MHz

BF621

DF

Si-P

BF421, BF472, BF872

Min, Vid,300V, 0.02A, >60MHz

BF622

DA

Si-N

BF422, BF469, BF869

Min, Vid,250V, 0.02A, >60MHz

BF623

DB

Si-P

BF423, BF470, BF870

Min, Vid,250V, 0.02A, >60MHz

BFQ17

FA

Si-N

BFW16A

Min, VHF/UHF-A, 40V, 150mA, 1.2GHz

BFQ18A

FF

Si-N

BFQ34, BFQ64

Min, UHF-A,25V, 150mA, 3.6GHz

BFQ19

FB

Si-N

BFR96, 2SC3268

Min, UHF-A, 20V, 75mA, 5GHz

BFQ67

V2

Si-N

BFQ65

Min, UHF-A, 20V, 50mA, 7.5GHz, ra

BSR30

BR1

Si-P

2N4030

Min, NF/S, 70V, 1A, <500/650ns, B>40

BSR31

BR2

Si-P

2N4031

Min, NF/S, 70V, 1A,<500/650ns, B>100

BSR32

BR3

Si-P

2N4032

Min, NF/S, 90V, 1A, <500/650ns, B>40

BSR33

BR4

Si-P

2N4033

Min, NF/S, 90V, 1A,<500/650ns, B>100

BSR40

AR1

Si-N

BSX46-6

Min, NF/S, 70V, 1A,<250/1000ns, B>40

BSR41

AR2

Si-N

BSX46-16

Min, NF/S, 70V,1A,<250/1000ns,B>100

BSR42

AR3

Si-N

2N3020

Min, NF/S, 90V,1A,<250/1000ns, B>40

BSR43

AR4

Si-N

2N3019

Min, NF/S,90V, 1 A,<250/1000ns,B> 100

BST15

BT1

Si-P

2N5415

Min, NF/S/Vid, 200V, 1A, >15MHz

BST16

BT2

Si-P

2N5416

Min, NF/S/Vid, 350V, 1A, >15MHz

BST39

AT1

Si-N

 

Min, NF/S/Vid, 450V, 1A, >15MHz

BST40

AT2

Si-N

 

Min, NF/S/Vid, 300V, 1A, >15MHz

BST50

AS1

Si-N-Darl

BSR50, BSS50, BDX42

Min,60V, 1A, 350MHz, B>2000

BST51

AS2

Si-N-Darl

BSR51, BSS51, BDX43

Min, 80V, 1A, 350MHz, B>2000

BST52

AS3

Si-N-Darl

BSR52, BSS52, BDX44

Min,100V, 1A, 350MHz, B>2000

BST60

BS1

Si-P-Darl

BSR60, BSS60, BDX45

Min,60V, 1A, 350MHz, B>2000

BST61

BS2

Si-P-Dari

BSR61, BSS61, BDX46

Min,80V, 1A, 350MHz, B>2000

ПРИНЯТЫЕ СОКРАЩЕНИЯ В ТАБЛИЦЕ

Графа 3:

C-Di (Capacitance diode [varactor, varicap]) - емкостной диод ( варикап );
MQS-N(P)-FET-d(e) (Metal oxide FET, enhancement type) - МДП - транзистор с каналом N (P);
N-FET (N-channel field-effect transistors) - полевой транзистор с N- каналом ;
PIN-Di (PIN -diode) - диод ;
P-FET (P- channel field-effect transistors) - полевой транзистор с Р - каналом ;
S (Sensor devices) - сенсорная схема ;
Si-Di (Silicon diode) - кремниевый диод
Si-N (Silicon NPN transistor) - кремниевый NPN ( обратный ) транзистор ;
Si-N-Darl (Silicon NPN Darlington transistor) - кремниевый NPN ( обратный ) транзистор по схеме Дарлингтона ;
Si-P (Silicon PNP transistor) - кремниевый PNP ( прямой ) транзистор
Si-P-Darl (Silicon PNP Darlington transistor) - кремниевый PNP ( прямой ) транзистор по схеме Дарлингтона ;
Si-St (Silicon-stabi-diode [operation in forward direction]) - стабилизирующий диод ( стабилитрон );
T ( Tuner Diodes ) - переключающий диод ;
Tetrode ( P - + N - gate thyristor ) - транзистор с четырехслойной структурой
Vrf ( Voltage reference diodes ) - высокостабильный опорный диод
Vrg ( Voltage requlator diodes ) - регулируемый опорный диод ;

Графа 4:

AM ( RF application ) - амплитудная модуляция
Band - S ( RF band switching ) - ключевой элемент ( электронный переключатель диапазона );Chopper (Chopper) - прерыватель ;
Dual (Dual transistors for differential amplifiers or dual diode) - сдвоенный транзистор ( диод )
FED ( Field effect diode ) - диод , управляющий напряжением
FM ( RF application ) - частотная модуляция
HF ( RF application [ general ]) - высокочастотный диапазон
LED (Light-emitting diode) - светодиод
M (Mixer stages) - смесительный
Min (Miniaturized) - миниатюрный
NF (AF applications) - низкочастотный ( звуковой ) диапазон
О (Oscillator stages) - генераторная схема
га (Low noise) - малошумящий
S (Switching stages) - ключевой
SS (Fast switching stages) - быстродействующий ключ
sym (Symmetrical types) - симметричный
Tr (Driver stages) - мощной устройство ( мощный управляющий ключ )
tuning (RF tuning diode) - переключающий диод для схем переключения диапазона
Tunnel-Di (Tunnel diode) - тунельный диод
UHF (RF applications [>250MHz]) - ультрокороткий ( СВЧ ) диапазон
Uni (General purpose tyres) - универсальный ( массового применения )
V (Pre/input stages) - предварительный ( для входных цепей )
VHF (RF applications [approx. 100...250 MHz]) - высокочастотный ( УКВ ) диапазон
Vid (Video output stages) - видеочастотный ( для цепей видеочастоты )

 

 

Радиодетали, приборы, диски, литература почтой.

Справочники и учебный материал (бесплатно)

Радиолюбительские схемы (бесплатно)

Украина. Львовская область. г.Трускавец.
Все права защищены. Разрешается републикация материалов сайта с обязательным указанием ссылки: http://pryriz.org.ua .
Copyright©Ukraine.Lviv reg.Truskavets.2010